个人简介

        陈蓉蓉，工学博士，毕业于山东大学，现任永利官网讲师。长期从事宽禁带半导体材料及其光电器件的研究工作，研究方向为氧化镓外延薄膜的外延生长以及基于该材料的光电探测器的制备研究工作。
        在Applied Physics Letters、ACS Crystal Growth & Design、Ceramics International、Vacuum、Journal of Materials Science、Materials Science in Semiconductor Processing等国际权威期刊发表SCI论文20余篇，论文被引累计逾190次，H指数为6。
        致力于超宽禁带半导体产业发展，积极推动宽禁带半导体材料与器件研究领域人才培养，为区域半导体产业升级提供有力支撑。

科研项目

1. 国家自然科学基金面上项目，“大面积可转移Beta-氧化镓单晶薄膜的制备及性质研究”，参与，经费金额：63万元，项目号：61874067；
2. 山东省自然科学基金项目，“可转移的、稀土元素掺杂的Beta-氧化镓基发光二极管的制备及性能研究”，参与，经费金额：20万元，项目号：ZR2019MF042；
3. 山东省重点研发计划，“可用于下一代光电器件的Beta-氧化镓单晶薄膜的制备及性质研究”，参与，经费金额：20万元，项目号：2018GGX102024；
4.“氧化镓/砷化镓异质结型紫外/红外双波段光电探测器的研制”，北京大学深圳研究生院广东省纳米微米材料研究重点实验室开放课题，参与，3万。

代表性论文

[1] CHEN R, WANG D, HAN X, et al. Self-powered deep ultraviolet PIN photodetectors with excellent response performance based on Ga2O3 epitaxial films grown on p-GaN [J]. Appl Phys Lett, 2023, 123(8).
[2] CHEN R, WANG D, LIU J, et al. Ta-Doped Ga2O3 Epitaxial Films on Porous p-GaN Substrates: Structure and Self-Powered Solar-Blind Photodetectors [J]. Cryst Growth Des, 2022, 22(9): 5285-5292.
[3] CHEN R, ZHU H, HAN X, et al. Fabrication, properties, and photodetector of β-(AlxGa1-x)2O3/GaN heteroepitaxial films grown by MOCVD [J]. Ceram Int, 2024, 50(6): 9363-9371.
[4] CHEN R, WANG D, FENG B, et al. High responsivity self-powered DUV photodetectors based on β-Ga2O3/GaN heterogeneous PN junctions [J]. Vacuum, 2023, 215: 112332.
[5] CHEN R, LIU J, FENG B, et al. Pores in p-type GaN by annealing under nitrogen atmosphere: formation and photodetector [J]. J Mater Sci, 2022: 467-476.
[6] CHEN R, ZHAO C, LUAN C, et al. High crystal quality β-Ga2O3 epitaxial films grown on porous n-GaN substrates [J]. Mater Sci Semicond Process, 2023, 168.

获奖

2023年获山东大学博士研究生国家奖学金